Գասպարյան Ֆերդինանդ Վազգենի

Գասպարյան Ֆերդինանդ Վազգենի
Гаспарян Фердинанд Вазгенович
Անգլերեն:	Gasparyan Ferdinand
Հայերեն:	Գասպարյան Ֆերդինանդ Վազգենի
Ծննդյան տարեթիվը:	09.03.1950
Ծննդավայրը:	Երևան, Հայաստանի Հանրապետություն
Համառոտ տվյալներ: Ֆիզիկոս:

Կենսագրություն

Ծնվել է 1950թ. մարտի 9-ին Հայաստանի Խորհրդային Հանրապետության մայրաքաղաք Երևանում:

Կրթություն

• 1972թ. ավարտել է ԵՊԻ կիբեռնետիկայի ֆակուլտետը՝ էլեկտրոնային տեխնիկայի ինժիների որակավորմամբ:
• 1974-1978թթ. սովորել է ՀՀ ԳԱԱ ռադիֆիզիկայի և էլեկտրոնիկայի ինստիտուտի ասպիրանտուրայում:

Ակադեմիական կուրսեր

• 1986թ.-ից մինչ օրս ԵՊՀ՝ Բյուրեղագիտություն, Օպտոէլեկտրոնիկա, Կիսահաղորդիչների օպտիկական հատկություններ, Դիէլեկտրիկների ֆիզիկա, Պինդ մարմնի էլեկտրոնիկա, Էներգիայի այլընտրանքային աղբյուրներ:
• 1996-2000թթ.՝ ԵՊՀ Իջևանի մասնաճյուղ, Օպտիկա, Բյուրեղագիտություն, Կիսահաղորդիչների ֆիզիկա:
• 2003-2006թթ.՝ Ռուս-Հայկական (Սլավոնական) համալսարան, Բյուրեղագիտություն:
• 2003-2005թթ.՝ ՀՊՃՀ - Բյուրեղագիտություն:
• 2008թ.-ից մինչ օրս՝ «Սինոփսիս» Օպտոէլեկտրոնիկա:

Աշխատանքային գործունեություն

• 1972-1978թթ. աշխատել է ՀՀ ԳԱԱ Ռադիոֆիզիկայի և էլեկտորնիկայի ինստիտուտում:
• 1978թ.-ից աշխատում է ԵՊՀ-ում:
• 1997-2000թթ.՝ ԵՊՀ Իջևանի մասնաճյուղի ֆիզիկայի ամբիոնի վարիչ:
• 2003թ.-ից դասախոսում է ՀՊՃՀ-ում:

Մասնագիտական միջոցառումներ

• 1195թ. «Անկարգությունը և քաոսը կոնդենսացված միջավայրերում» սեկցիայի ղեկավար, Տեսական Ֆիզիկայի Միջազգային Կենտրոն, Տրիեստ, Իտալիա:
• 1197թ. «Անկարգությունը և քաոսը կոնդենսացված միջավայրերում» սեկցիայի ղեկավար, Տեսական Ֆիզիկայի Միջազգային Կենտրոն, Տրիեստ, Իտալիա :
• 1997թ. Դիլիջան, «Կիսահաղորդչային միկրոէլեկտրոնիկա» Ազգային առաջին գիտաժողով, Կազմկոմիտեի անդամ:
• 1999թ. Դիլիջան, «Կիսահաղորդչային միկրոէլեկտրոնիկա» Ազգային երկրորդ գիտաժողով, Կազմկոմիտեի անդամ:
• 2001թ. Սևան, «Կիսահաղորդչային միկրոէլեկտրոնիկա» Միջազգային երրորդ գիտաժողով, Կազմկոմիտեի անդամ:
• 2003թ. Ծաղկաձոր, «Կիսահաղորդչային միկրոէլեկտրոնիկա» Ազգային չորրորդ գիտաժողով, Կազմկոմիտեի անդամ:
• 2005թ. Աղվերան, «Կիսահաղորդչային միկրո- և նանոէլեկտրոնիկա» Միջազգային հինգերորդ գիտաժողով, Կազմկոմիտեի անդամ:
• 2007թ. Ծաղկաձոր, «Կիսահաղորդչային միկրո- և նանոէլեկտրոնիկա» Միջազգային վեցերորդ գիտաժողով, Կազմկոմիտեի անդամ:
• 2009թ. Ծաղկաձոր, «Կիսահաղորդչային միկրո- և նանոէլեկտրոնիկա» Միջազգային յոթերորդ գիտաժողով, Կազմկոմիտեի անդամ:
• 2011թ. Երևան, «Կիսահաղորդչային միկրո- և նանոէլեկտրոնիկա» Միջազգային ութերորդ գիտաժողով, Կազմկոմիտեի անդամ:

Դրամաշնորհներ

• ANSEF PS-53, 2003, ղեկավար:
• CRDF CGP Grant ARP2-2678-YE-05, 2006-2008, ղեկավար:
• ISTC Grant A-312 (2001-2004), կատարող:
• ISTC Grant A-1232 (2006-2009), կատարող:

Ձեռքբերումներ

• 1975թ.՝ «Լավագույն երիտասարդ գիտնական» մրցանակ (ՀՀ ԳԱԱ Ռադիոֆիզիկայի և էլեկտրոնիկայի ինստիտուտ):
• 1977թ.՝ «Լավագույն տեսական աշխատանք» մրցանակ (ՀՀ ԳԱԱ Ռադիոֆիզիկայի և էլեկտրոնիկայի ինստիտուտ):
• 1995թ.՝ ֆիզմաթ գիտությունների դոկտոր:
• 2001թ.՝ պրոֆեսոր:
• 2006թ.՝ ՀՀ ԳԱԱ շնորհակալագիր «Կիսահաղորդչային միկրո- և նանոէլեկտրոնիկա» միջազգային գիտաժողովների կազմակերպման համար:
• 2010թ.՝ ԵՊՀ ոսկե մեդալ «Ռադիոֆիզիկայի ֆակուլտետի 35-ամյակի կապակցությամբ:

Մասնագիտական և ոչ մասնագիտական կազմակերպությունների անդամակցում

• ՀՀ ԳԱԱ Ֆիզիկա տեղեկագրի փորձագետ
• ՀՀ ԿԳՆ թեմատիկ ֆինանսավորման փորձագետ
• ԵՊՀ Ռադիոֆիզիկայի ֆակուլտետի խորհրդի անդամ
• ԵՊՀ Ռադիոֆիզիկայի ֆակուլտետի Փորձագիտական հանձնաժողովի նախագահ:

Այլ

• Աշխատանքները վերաբերում են կիսահաղորդիչներում և դրանցից պատրաստված ենթակարմիր, տեսանելի և գերմանուշակագույն տիրույթի կիսահաղորդչային ֆոտոընդունիչներում, արեգակնային մարտկոցներում և ինժեկցիոն կառուցվածքներում ընթացող ֆիզիկական երևույթների տեսական ուսումնասիրությանը:
• Հեղինակ է ուսումնական ձեռնարկների:

Մատենագիտություն

• Gasparyan F., Semiconductor Physics & Principles of Solid State Electronics | PH YSU, Yerevan 2011, 387 pages. (In Armenian).
• Gasparyan F., Abrahamian Yu., Martirossyan R., Methods and Materials for Remote Sensing. Infrared Photo-Detectors, Radiometers and Arrays | 2004, Kluwer Academic Publishers. Boston/Dordrecht/New York/London, 2004, 160 pages.
• Gasparyan F., brahamian Ju. A., Threshold characteristics of the photodetectors, IR radiometers and main materials for modern photoelectronics | PH Yerevan State University, Yerevan, 2000, 153 pages, (In Russian).
• Gasparyan F., Adamyan Z. N., Aroutyunyan V. M., Silicon Photodetectors | PH Yerevan State University, 1989, 362 pages, (In Russian)7
• Gasparyan F., Arutyunyan V. M., Adamyan Z. N., Photodetectors: Past, Present, Future | PH “Hayastan”, Yerevan, 1986, 231 pages, (In Armenian).
• Gasparyan F., Arutyunyan V. M., Problems of the modern microelectronics: Charge Coupled Devices | PH NAS Republic of Armenia, Yerevan, 1986, 160 pages (In Armenian).

Հոդվածներ

• Р. В. Оганесян , Г. Д. Хондкарян, М. С. Алексанян, В. М. Аракелян, Б. О Семерджян, В. М. Арутюнян, Ф. В. Гаспарян, Статические и щумовые характеристики нанокомпозитных газовых сенсоров | Известия АН Арм. ССР. Физика. – 2014 г. – Т , 5c.
• Ю. А. Абрамян, З. Н. Адамян, В. М. Арут‏юнян, Ф. В. Гаспарян, С. Г. Мартиросян, К. Н. Кочарян, Малошумящий высокочувствительный радиометр | Изв. НАН РА и ГИУА, серия Технические науки, 54, 1, 141-147, 2001.
• Фотоприемник из компенсированного кремния | Каталог вузовских завершенных научно-исследовательских и опытно-конструкторских разработок, подлежащих внедрению. Мин высш. и средн. спец. образования. Арм. ССР. – 1990, c. 1.
• М. Г. Азарян, В. М. Арутюнян, З. Н. Адамян, Р. С. Барсегян, Ф. В. Гаспарян, З. О. Мхитарян, Флуктуационные явления в диодах из компенсированного кремния | Тез.докл.3 Всесоюзной конф. «Флуктуационные явления в физических системах», Вилънюс,1983,с.194-196.
• Gasparyan F., Modified Charge Fluctuation Noise Model for Electrolyte-Insulator-Semiconductor Devices | Mod. Phys. Lett. B (MPLB), 2011, Vol. 25.
• Gasparyan F., Poghossian A., Vitusevich S. A., Petrychuk M. V., Sydoruk V. A., Siqueira J. R. Jr., Oliveira O. N., Offenhäusser A., Schöning M. J., Low-Frequency Noise in Field-Effect Devices Functionalized With Dendrimer/Carbon-Nanotube Multilayers | IEEE Sensors Journal, 2011, v.11, #1, 142-149.
• Gasparyan F., P.A.Varderesyan, B. O. Semerjyan, Low-frequency noise special measurement chamber | Semiconductor micro -and nanoelectronics. Proc. of the Eight International Conference. Yerevan, Armenia, July 1-3 2011,p. 6.
• Gasparyan F., Excess Noises in (Bio-)Chemical Nanoscale Sensors | Sensors & Transducers journal (ISSN 1726-5479), Vol.122, # 11, 2010, pp.72-84.
• Gasparyan F., Low-Frequency Noises in Nanotubes and Nanowires | Armenian Journal of Physics, 2010, vol. 3, # 4, pp. 312-341; http://ajp.asj-oa.am/306/.
• Gasparyan F., Low frequency noises in semiconductors, MOS-like structures, gaz sensors and EIS based (bio-)chemical sensors | Proc. on 35 Anniversary of Foundation of Dept. of Radiophysics, Yerevan State University, Yerevan, 2010, pp.53-58.
• Gasparyan F., Mkhitaryan Z., Surmalyan A., Low frequency noises of hydrogen sensors | Sensors & Transducers Journal, 2009, v. 104, #5, 58-67.
• Gasparyan F., Mkhitaryan Z. H., Surmalyan A. V., Low frequency noises of hydrogen sensors on the base of silicon having nano-pores sensitive layer | 20th Int. Conf. on Noise and Fluctuation, June 14-19, 2009, Pisa, Italy, pp.137-140.
• Gasparyan F., Surmalyan A. V., Surface potential behavior in ISFET-based bio-(chemical) sensors with two insulator layers in dark and under intensity-modulated irradiation | Proc of 7th Int. Conf. on Semicond. Micro. & Nano-Electron., July 3-5, 2009, Tsakhcadzor, Armenia, pp. 67-70.
• Gasparyan F., Modeling and Simulation of Light-Addressable potentiometric Sensors | J. of Contemporary Physics (Armenian Academy of Sciences), 2010, v.45, #5, 228-237.
• Gasparyan F., Poghossian A., Vitusevich S. A., Petrychuk M. V., Sydoruk V. A., Surmalyan A. V., Siqueira J. R. Jr., Osvaldo N., Oliveira Jr., Offenhäusser A., Schöning M. J., 1/f-noise in EIS bio-sensors functionalized with 3 layer-by-layer PAMAM/single walled carbon nanotubes | Proc. 20th Int. Conf. on Noise and Fluctuation, June 14-19, 2009, Pisa, Italy, pp.133-136.
• Gasparyan F., S. V. Melkonyan, Main sources of electron mobility fluctuations in semiconductors | Noise and Fluctuations in Circuits, Devices and Materials; Ed. by Massimo Macucci, Lode K. Vandamme, Carmine Ciofi, Michael B. Weissman; Proc. of SPIE v.6600, 2007, 66001K-1 - 66001K-8.
• Gasparyan F., A. I. Vahanyan, V. M. Aroutiounian, Thermoelectric coefficient of the non-homogeneously doped p-n junctions made on Si and Pb0.8Sn0.2Te | Sensors and Actuators A: Physical, v. 113, N3, pp. 370-375, 2004.
• Gasparyan F., A. I. Vahanyan, V. M. Aroutiounian, Yu. A. Abrahamian, Thermoelectric coefficient of the non-homogeneously doped p-n junctions made on Si and Pb0.8Sn0.2Te | Proc. of EMRS-2003, Strasburg, France, June 10-13.
• A. I. Vahanyan, Yu. A. Abrahamian, V. A. Vagarshakian, F. V. Gasparian, G. G. Karamian, A. G. Sarkisian, V. I. Stafeev, Some structures for cascade solar cells | Solar energy materials and Solar Cells, v.80, N4, p. 451-457, 2003.
• Yu. A. Abrahamian, A. I. Vahanyan, F. V. Gasparian, V. A. Vagarshakian, G. G. Karamian, S. G. Martirosian, V. I. Stafeev
• Gasparyan F., High-Sensitive Multielement Line (Matrixes) on the Basis of Field-Effect Transistors With Easily Reproduced Production Technology | Infr.and Mill. v.23,N12,pp1753-1764, 2002
• A. I. Vahanyan, Ju. A. Abrahamyan, V. M. Aroutiounian, F. V. Gasparyan, E. M. Baghiyan, Semiconductors compounds Pb1-xSnxTe<Cd> with high values of thermoemf | Proc.of the II National Conf. Semiconductor microelectronics, Dilijan, Armenia, May 1999.
• M. H. Azaryan, V. M. Harytynyan, Z. N. Adamyan, R. S. Barseghyan, F. V. Gasparyan, B. O. Semergian, Z. H. Mchitaryan, S.V.Melkonyan, Fenomena in Silicon Photodiodes Doped with Zn and S | Infrared Pysics,1986, 26,5,p.267-272.
• Haroutiunian V.M., Adamyan Z.N., Barseghyan R.S., Semerjyan B. O, Gasparyan F.V, Azaryan M.H, Mkhitaryan Z.H, Melkonyan S.V., Phenomena in Silicon Photodiodes Doped with Zn and S | Proceedings of the III International Conference on Infrared Physics (CIRP3). Infrared Physics. - 1986. - Vol.26, N5, p. 6.

Տե՛ս նաև

• Ով ով է.հայեր (կենսագրական հանրագիտարան:Երկու հատորով),ՀՀ խմբ. հանձնաժողով՝ Հ. Մ. Այվազյան (գլխ. խմբագիր) և ուրիշներ,Երևան,Հայկական հանրագիտարան հրատ., Հ.1, Աբալյան-Ղուշչյան, 2005: